文献
J-GLOBAL ID:201602226731562690
整理番号:16A1000895
噴霧熱分解技術によって調製したフッ素ドープSnO2(FTO)薄膜の構造,電気,光伝導及び熱電特性に及ぼす超低から高Sbドーピングの影響
Effect of very low to high Sb-doping on the structural, electrical, photo-conductive and thermoelectric properties of fluorine-doped SnO2 (FTO) thin films prepared by spray pyrolysis technique
著者 (3件):
Mokaripoor E.
(School of Physics, Damghan University, Damghan, Iran)
,
Bagheri-Mohagheghi M.-M.
(School of Physics, Damghan University, Damghan, Iran)
,
Bagheri-Mohagheghi M.-M.
(Mashhad, Iran)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
27
号:
3
ページ:
2305-2314
発行年:
2016年03月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)