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文献
J-GLOBAL ID：201602228249900146
整理番号：16A0977890
313ps読出しアクセス時間を持つ6.05Mb/mm 2 16nm FinFET二重ポンピング1W1R2ポートSRAM【Powered by NICT】
A 6.05-Mb/mm2 16-nm FinFET double pumping 1W1R 2-port SRAM with 313 ps read access time
Yabuuchi Makoto
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Sawada Yohei
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Sano Toshiaki
(Renesas System Design Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Ishii Yuichiro
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Tanaka Shinji
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Tanaka Miki
(Renesas System Design Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Nii Koji
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： VLSI Circuits ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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