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J-GLOBAL ID:201602229354955487   整理番号:16A1054316

インシツ表面X線散乱による水素アンダーポテンシャル析出と表面酸化物形成間の電位範囲でのPt(111)単結晶電極/硫酸および過塩素酸界面での電位-依存構造および電位-誘起構造変化

Potential-Dependent Structures and Potential-Induced Structure Changes at Pt(111) Single-Crystal Electrode/Sulfuric and Perchloric Acid Interfaces in the Potential Region between Hydrogen Underpotential Deposition and Surface Oxide Formation by In Situ Surface X-ray Scattering
著者 (7件):
KONDO Toshihiro
(Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN)
KONDO Toshihiro
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)
MASUDA Takuya
(Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN)
MASUDA Takuya
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)
AOKI Nana
(Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN)
AOKI Nana
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)
UOSAKI Kohei
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)

資料名:
Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)

巻: 120  号: 29  ページ: 16118-16131  発行年: 2016年07月28日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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