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文献
J-GLOBAL ID:201602230152128314   整理番号:16A0410251

酸化非晶質窒化ケイ素膜のN-Si-O結合状態からの高い量子効率の光ルミネセンス動力学

Dynamics of high quantum efficiency photoluminescence from N-Si-O bonding states in oxygenated amorphous silicon nitride films
著者 (8件):
ZHANG Pengzhan
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
CHEN Kunji
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
LIN Zewen
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
TAN Dameng
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
DONG Hengping
(Taizhou Inst. of Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Taizhou 225300, CHN)
LI Wei
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
XU Jun
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
HUANG Xinfan
(School of Electron Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 108  号: 11  ページ: 111103-111103-5  発行年: 2016年03月14日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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