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文献
J-GLOBAL ID：201602230186341652
整理番号：16A0804560
400Kまでの高Kゲートスタックおよび安定なヒステリシス特性を有する垂直バンド間トンネリングに基づく不揮発性メモリ【Powered by NICT】
Vertical band-to-band tunneling based non-volatile memory with high-K gate stack and stable hysteresis characteristics up to 400K
Biswas Arnab
(Nanolab, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH, - 1015, Lausanne, Switzerland)
,
Tomar Saurabh
(Nanolab, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH, - 1015, Lausanne, Switzerland)
,
Ionescu Adrian M.
(Nanolab, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH, - 1015, Lausanne, Switzerland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： DRC ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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