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文献
J-GLOBAL ID：201602232711106267
整理番号：16A1257479
65nm技術で加工したMOSFETの低周波雑音特性【Powered by NICT】
Low-frequency noise characteristics in the MOSFETs processed in 65 nm technology
Liu Yuan
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, CEPREI)
,
Liu Yurong
(School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology)
,
He Yujuan
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, CEPREI)
,
Li Bin
(School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology)
,
En Yunfei
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, CEPREI)
,
Fang Wenxiao
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, CEPREI)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 6 ページ： 064012_01-064012_06 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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