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文献
J-GLOBAL ID：201602233724004833
整理番号：16A1004717
急速な熱酸化の間の熱歪みで誘起されるSiO2/Si(001)界面酸化の強化
Enhancement of SiO2/Si(001) interfacial oxidation induced by thermal strain during rapid thermal oxidation
Ogawa Shuichi
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
,
Tang Jiayi
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
,
Yoshigoe Akitaka
(Japan Atomic Energy Agency, Sayo, Hyogo 679-5148, Japan)
,
Ishidzuka Shinji
(National Institute of Technology, Akita College, Akita 011-8511, Japan)
,
Takakuwa Yuji
(Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名：
Journal of Chemical Physics
(Journal of Chemical Physics)
巻： 145 号： 11 ページ： 114701-114701-7 発行年： 2016年09月21日
JST資料番号： C0275A ISSN： 0021-9606 CODEN： JCPSA6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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