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文献
J-GLOBAL ID：201602233974124704
整理番号：16A0787292
InGaN/AlGaN/A1N/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの伝達特性における電流プラトーの観測【Powered by NICT】
Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/A1N/GaN Heterojunction Field Effect Transistors
Yan Junda
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Quan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Xiaoliang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Xiao Hongling
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Jiang Lijuan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Yin Haibo
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Feng Chun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Cuimei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Qu Shenqi
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Gong Jiamin
(School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications)
,
Zhang Bo
(School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications)
,
Li Baiquan
(Beijing Huajin Chuangwei Technology Co., Ltd)
,
Wang Zhanguo
(Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices)
,
Hou Xun
(ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 32 号： 12 ページ： 127301-1-127301-4 発行年： 2015年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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