文献
J-GLOBAL ID:201602233993287351
整理番号:16A0615613
高電力IGBTモジュール設計におけるマルチフィジックスシミュレーション【Powered by NICT】
Multi-physics simulation in high power IGBT module design
著者 (7件):
Li Daohui
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
,
Packwood Matthew
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
,
Qi Fang
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
,
Zhou Wei
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
,
Wang Yangang
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
,
Jones Steve
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
,
Dai Xiaoping
(Power Semiconductor R&D Center, Dynex Semiconductor Ltd, Doddington Road, Lincoln LN6 3LF, United Kingdom)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
EuroSimE
ページ:
1-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)