文献
J-GLOBAL ID:201602235180732423
整理番号:16A1153166
表面ポテンシャルに基づくSiCパワーMOSFETのためのシミュレーションモデル【Powered by NICT】
A simulation model for SiC power MOSFET based on surface potential
著者 (5件):
Nakamura Yohei
(Dept. of Graduate School of Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto, 615-8510, Japan)
,
Shintani Michihiro
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Oishi Kazuki
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Sato Takashi
(Dept. of Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan)
,
Hikihara Takashi
(Dept. of Graduate School of Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto, 615-8510, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SISPAD
ページ:
121-124
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)