文献
J-GLOBAL ID:201602235247757897
整理番号:16A1373781
室温で加工した超高周波インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物Schottkyダイオード
Room Temperature Processed Ultrahigh-Frequency Indium-Gallium-Zinc-Oxide Schottky Diode
著者 (6件):
Jiawei Zhang
(Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
,
Hanbin Wang
(Sch. of Phys., Shandong Univ., Jinan, China)
,
Wilson Joshua
(Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
,
Xiaochen Ma
(Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
,
Jidong Jin
(Dept. of Electr. Eng. & Electron., Univ. of Liverpool, Liverpool, UK)
,
Aimin Song
(Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
4
ページ:
389-392
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)