文献
J-GLOBAL ID:201602235289110194
整理番号:16A0610895
長波長InPベーストランジスタレーザの活性領域のドーピング【Powered by NICT】
Doping of Active Region in Long Wavelength InP-Based Transistor Lasers
著者 (4件):
Qiao Lijun
(Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liang Song
(Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhu Hongliang
(Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Wei
(Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名:
IEEE Photonics Journal
(IEEE Photonics Journal)
巻:
8
号:
3
ページ:
ROMBUNNO.2300108.1-8
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2436A
ISSN:
1943-0655
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)