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文献
J-GLOBAL ID：201602236507573305
整理番号：16A1030332
核生成制御された液相結晶化を利用した透明基板上の高移動度GeSn p-MOSFET【Powered by NICT】
High-mobility GeSn p-MOSFETs on transparent substrate utilizing nucleation-controlled liquid-phase crystallization
Oka Hiroshi
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Amamoto Takashi
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Hosoi Takuji
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Shimura Takayoshi
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Watanabe Heiji
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SNW ページ： 128-129 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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