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文献
J-GLOBAL ID：201602237207712490
整理番号：16A1373841
2レベルの相互接続を備えた4H-SiC JFET ICの500°Cでの長期間の実証
Prolonged 500 °C Demonstration of 4H-SiC JFET ICs With Two-Level Interconnect
Spry David J.
(John H. Glenn Res. Center, Nat. Aeronaut. & Space Adm., Cleveland, OH, USA)
,
Neudeck Philip G.
(John H. Glenn Res. Center, Nat. Aeronaut. & Space Adm., Cleveland, OH, USA)
,
Liangyu Chen
(Ohio Aerosp. Inst., Cleveland, OH, USA)
,
Lukco Dorothy
(Vantage Partners LLC, Brook Park, OH, USA)
,
Chang Carl W.
(Vantage Partners LLC, Brook Park, OH, USA)
,
Beheim Glenn M.
(John H. Glenn Res. Center, Nat. Aeronaut. & Space Adm., Cleveland, OH, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 5 ページ： 625-628 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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