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文献
J-GLOBAL ID：201602237242880528
整理番号：16A1116587
自立GaN基板上に成長させたエピタキシャルn-GaN層を用いた高安定かつ低密度のAl2O3/GaN界面
Highly-stable and low-state-density Al2O3/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates
Kaneki Shota
(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan)
,
Ohira Joji
(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan)
,
Toiya Shota
(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan)
,
Yatabe Zenji
(Priority Organization for Innovation and Excellence, Kumamoto University, Kumamoto 860-8555, Japan)
,
Asubar Joel T.
(Graduate School of Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan)
,
Hashizume Tamotsu
(Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 16 ページ： 162104-162104-5 発行年： 2016年10月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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