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文献
J-GLOBAL ID：201602237385475134
整理番号：16A1030344
トンネルFETのためのInAs/GaSbヘテロ接合におけるドーピングの研究【Powered by NICT】
Investigation of doping in InAs/GaSb hetero-junctions for tunnel-FETs
Cutaia Davide
(IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Schmid Heinz
(IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Borg Mattias
(IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Moselund Kirsten
(IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Bologna Nicolas
(Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, 8600 Duebendorf, Switzerland)
,
Olziersky Antonis
(IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Ionescu Adrian
(Ecole Polytechnique Federal de Lausanne, EPFL, NanoLab, 1015, Switzerland)
,
Riel Heike
(IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SNW ページ： 152-153 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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