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文献
J-GLOBAL ID：201602239734119525
整理番号：16A0726661
低オン抵抗ノーマリオフ二重チャネルMOS-HEMTのための臨界ヘテロ構造の設計【Powered by NICT】
Critical heterostructure design for low on-resistance normally-off double-channel MOS-HEMT
Wei Jin
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Liu Shenghou
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Li Baikui
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Tang Xi
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Tang Gaofei
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Zhang Zhaofu
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Chen Kevin J.
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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