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文献
J-GLOBAL ID：201602239803670253
整理番号：16A0942540
4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価
阿部裕太
(筑波大)
,
岡本光央
(産業技術総合研)
,
小杉亮治
(産業技術総合研)
,
原田信介
(産業技術総合研)
,
波多野睦子
(東京工大)
,
岩崎孝之
(東京工大)
,
小野田忍
(量研機構)
,
春山盛善
(量研機構)
,
春山盛善
(群馬大)
,
加田渉
(群馬大)
,
花泉修
(群馬大)
,
大島武
(量研機構)
,
梅田享英
(筑波大)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th ページ： ROMBUNNO.16a-C302-3 発行年： 2016年09月01日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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