文献
J-GLOBAL ID:201602240150189866
整理番号:16A1030180
90nm・CMOSによる10GHzバイアス変調E級電力増幅器【Powered by NICT】
A 10-GHz bias modulated class-E power amplifier in 90-nm CMOS
著者 (3件):
Chen Sheng-Ting
(Institute of Electronics Engineering/Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University)
,
Lee Yi-Chun
(Institute of Electronics Engineering/Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University)
,
Liu Jenny Yi-Chun
(Institute of Electronics Engineering/Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
RFIT
ページ:
1-3
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)