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文献
J-GLOBAL ID：201602240272460626
整理番号：16A1286147
分子ビームエピタクシーによるGe基板上に成長させたGaInP太陽電池の素子特性と材料特性【Powered by NICT】
Device and material characteristics of GalnP solar cells grown on Ge substrates by molecular beam epitaxy
Masuda Taizo
(Toyota Motor Corporation, Susono, Shizuoka, 410-1193, Japan)
,
Faucher Joseph
(Yale University, New Haven, CT, 06520, USA)
,
Simmonds Paul J.
(Yale University, New Haven, CT, 06520, USA)
,
Okumura Kenichi
(Toyota Motor Corporation, Susono, Shizuoka, 410-1193, Japan)
,
Lee Minjoo Larry
(Yale University, New Haven, CT, 06520, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： PVSC ページ： 2344-2348 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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