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文献
J-GLOBAL ID:201602240870825823   整理番号:16A1258529

炭素源としてC_2H_2を用いた窒化ガリウム上のグラフェンの直接成長【Powered by NICT】

Direct growth of graphene on gallium nitride using C_2H_2 as carbon source
著者 (9件):
Wang Bing
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Zhao Yun
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Yi Xiaoyan
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Wang Guohong
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Liu Zhiqiang
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Duan Ruirei
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Huang Peng
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Wang Junxi
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Li Jinmin
(Semiconductor Lighting Technology R&D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)

資料名:
Wulixue Qianyan  (Wulixue Qianyan)

巻: 11  号:ページ: 116803-1-116803-6  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2648A  ISSN: 2095-0462  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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