文献
J-GLOBAL ID:201602241522794863
整理番号:16A0619805
GaAs(001)上に堆積されたエピタキシャルFe層における異方的歪に及ぼす低温ポスト成長アニーリングの効果
Effect of low-temperature post-growth annealing on anisotropic strain in epitaxial Fe layers deposited on GaAs(001)
著者 (6件):
Tholapi R.
(Institute of Nanostructure and Solid State Physics, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, Germany)
,
Liefeith L.
(Institute of Nanostructure and Solid State Physics, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, Germany)
,
Ekindorf G.
(Institute of Nanostructure and Solid State Physics, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, Germany)
,
Perumal K.
(Photon Science, Deutschen Elektronensynchrotron (DESY), Notkestrasse 85, D-22607 Hamburg, Germany)
,
Slobodskyy T.
(Institute of Nanostructure and Solid State Physics, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, Germany)
,
Hansen W.
(Institute of Nanostructure and Solid State Physics, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, Germany)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
119
号:
24
ページ:
245304-245304-5
発行年:
2016年06月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)