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文献
J-GLOBAL ID：201602243549304822
整理番号：16A0387716
薄いTiO2界面層を用いた低仕事関数Ybを使ったn型Geに対する低接触抵抗率
Low resistivity contact on n-type Ge using low work-function Yb with a thin TiO2 interfacial layer
DEV Sachin
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
,
REMESH Nayana
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
,
RAWAL Yaksh
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
,
MANIK Prashanth Paramahans
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
,
WOOD Bingxi
(Applied Materials, Inc., Santa Clara, California 94085, USA)
,
LODHA Saurabh
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 108 号： 10 ページ： 103507-103507-4 発行年： 2016年03月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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