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文献
J-GLOBAL ID:201602243549304822   整理番号:16A0387716

薄いTiO2界面層を用いた低仕事関数Ybを使ったn型Geに対する低接触抵抗率

Low resistivity contact on n-type Ge using low work-function Yb with a thin TiO2 interfacial layer
著者 (6件):
DEV Sachin
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
REMESH Nayana
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
RAWAL Yaksh
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
MANIK Prashanth Paramahans
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
WOOD Bingxi
(Applied Materials, Inc., Santa Clara, California 94085, USA)
LODHA Saurabh
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 108  号: 10  ページ: 103507-103507-4  発行年: 2016年03月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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