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文献
J-GLOBAL ID：201602243893220506
整理番号：13A1254073
Gate leakage current reduction in IP3 SRAM cells at 45 nm CMOS technology for multimedia applications
Singh R K
(Bipin Tripathi Kumaon Inst. of Technol., India, Dwarahat)
,
Shukla Neeraj Kr
(ITM Univ., Dep. of EECE, India, Gurgaon)
,
Pattanaik Manisha
(ABV-IIITM, VLSI Group, Dep. of IT, India, Gwalior)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 33 号： 5 ページ： 055001-1-055001-5 発行年： 2012年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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