文献
J-GLOBAL ID:201602243907755095
整理番号:16A1073935
スイッチングのための微細制御電気パルスを用いたGe2Sb2Te5薄膜の相変化挙動のキャラクタリゼーション
Characterization of phase-change behavior of a Ge2Sb2Te5 thin film using finely controlled electrical pulses for switching
著者 (3件):
LEE Hyun Cheol
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
JEONG Jin Hwan
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Doo Jin
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
31
号:
9
ページ:
095006,1-8
発行年:
2016年09月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)