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文献
J-GLOBAL ID：201602244054192361
整理番号：16A1190988
高電流密度の二次元/三次元MoS2/GaN江崎トンネルダイオード
High current density 2D/3D MoS2/GaN Esaki tunnel diodes
Krishnamoorthy Sriram
(Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Lee Edwin W.
(Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Lee Choong Hee
(Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Zhang Yuewei
(Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
McCulloch William D.
(Department of Chemistry and Biochemistry, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Johnson Jared M.
(Materials Science and Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Hwang Jinwoo
(Materials Science and Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Wu Yiying
(Department of Chemistry and Biochemistry, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
,
Rajan Siddharth
(Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 18 ページ： 183505-183505-5 発行年： 2016年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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