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文献
J-GLOBAL ID：201602247699397623
整理番号：16A1227142
低電圧電力MOSFETにおけるレーザアニーリングプロセスの応用
An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs
CHEN Yi
(University of the Ryukyus)
,
OKADA Tatsuya
(University of the Ryukyus)
,
NOGUCHI Takashi
(University of the Ryukyus)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E99.C 号： 5 ページ： 516-521(J-STAGE) 発行年： 2016年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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