前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201602247837079535
整理番号：16A0923846
希土類元素酸化物中間層を持つSi(100)上に成長した半極性GaNの貫通ピラミッドのファセット解析
Facet analysis of truncated pyramid semi-polar GaN grown on Si(100) with rare-earth oxide interlayer
Grinys Tomas
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
,
Dargis Rytis
(Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA)
,
Frentrup Martin
(The Cambridge Centre for Gallium Nitride, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom)
,
Juceviciene Agne Kalpakovaite
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
,
Badokas Kazimieras
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
,
Stanionyte Sandra
(Center for Physical Sciences and Technology, Savanoriu av. 231, 02300 Vilnius, Lithuania)
,
Clark Andrew
(Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA)
,
Malinauskas Tadas
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 120 号： 10 ページ： 105301-105301-6 発行年： 2016年09月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。