文献
J-GLOBAL ID:201602247837079535
整理番号:16A0923846
希土類元素酸化物中間層を持つSi(100)上に成長した半極性GaNの貫通ピラミッドのファセット解析
Facet analysis of truncated pyramid semi-polar GaN grown on Si(100) with rare-earth oxide interlayer
著者 (8件):
Grinys Tomas
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
,
Dargis Rytis
(Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA)
,
Frentrup Martin
(The Cambridge Centre for Gallium Nitride, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 0FS, United Kingdom)
,
Juceviciene Agne Kalpakovaite
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
,
Badokas Kazimieras
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
,
Stanionyte Sandra
(Center for Physical Sciences and Technology, Savanoriu av. 231, 02300 Vilnius, Lithuania)
,
Clark Andrew
(Translucent Inc., 952 Commercial St., Palo Alto, California 94303, USA)
,
Malinauskas Tadas
(Institute of Applied Research, Vilnius University, Sauletekio 10, 10223 Vilnius, Lithuania)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
120
号:
10
ページ:
105301-105301-6
発行年:
2016年09月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)