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文献
J-GLOBAL ID：201602247848238431
整理番号：16A0804598
SiC上の歪んだAlN/GaN/AlN量子井戸FETの初めての実証【Powered by NICT】
First demonstration of strained AlN/GaN/AlN quantum well FETs on SiC
Islam S M
(Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
,
Qi Meng
(Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA)
,
Song Bo
(Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
,
Nomoto Kazuki
(Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
,
Protasenko Vladimir
(Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
,
Wang Jingshan
(Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA)
,
Rouvimov Sergei
(Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA)
,
Fay Patrick
(Dept of EE, University of Notre Dame, Notre Dame, IN-46556, USA)
,
Xing Huili Grace
(Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
,
Jena Debdeep
(Dept of ECE, Cornell University, Ithaca, NY-14853, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： DRC ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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