文献
J-GLOBAL ID:201602249771039602
整理番号:16A1374007
炭化ケイ素パワートランジスタのゲートおよびベースドライバ:概要
Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview
著者 (2件):
Peftitsis Dimosthenis
(Laboratory for High Power Electronics Systems, ETH Zurich, Zurich, Switzerland)
,
Rabkowski Jacek
(Institute of Control and Industrial Electronics, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland)
資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻:
31
号:
10
ページ:
7194-7213
発行年:
2016年
JST資料番号:
D0211B
ISSN:
0885-8993
CODEN:
ITPEE8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)