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文献
J-GLOBAL ID：201602249842450960
整理番号：16A0472293
シリコン結晶中のホウ素欠陥のX線光電子分光解析:第1原理研究
X-ray photoelectron spectroscopy analysis of boron defects in silicon crystal: A first-principles study
Yamauchi Jun
(Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama 223-8522, Japan)
,
Yoshimoto Yoshihide
(Dep. of Computer Sci., Graduate School of Information Sci. and Technol., The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan)
,
Suwa Yuji
(Res. and Dev. Group, Hitachi, Ltd., 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 119 号： 17 ページ： 175704-175704-9 発行年： 2016年05月07日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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