前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201602250137560307   整理番号:16A0911520

化学気相堆積中の高周波バイアス電圧印加に伴う水素化非晶質炭化シリコンの化学構造の変化

Changes of chemical structure of hydrogenated amorphous silicon carbide films with the application of radio-frequency bias voltages during chemical vapor deposition
著者 (7件):
Ito Haruhiko
(Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
Ogaki Takeshi
(Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
Kumakura Motoki
(Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
Saeki Shunsuke
(Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
Suzuki Tsuneo
(Extreme Energy-Density Research Institute of Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
Akasaka Hiroki
(Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)
Saitoh Hidetoshi
(Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology, Nagaoka 940-2188, Japan)

資料名:
Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)

巻: 66  ページ: 1-9  発行年: 2016年06月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。