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文献
J-GLOBAL ID：201602250258647825
整理番号：16A1362100
厚さ依存低温固相結晶化による絶縁体上Snドープ多結晶Ge膜の高キャリア移動度
High carrier mobility of Sn-doped polycrystalline-Ge films on insulators by thickness-dependent low-temperature solid-phase crystallization
Sadoh Taizoh
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Kai Yuki
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Matsumura Ryo
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Moto Kenta
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Miyao Masanobu
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 23 ページ： 232106-232106-5 発行年： 2016年12月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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