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文献
J-GLOBAL ID:201602250332837470   整理番号:16A0726669

衝突フォノニックと放射モデルに基づくGaNの励起子動力学シミュレーションへの励起子分子過程の導入【Powered by NICT】

Introducing of biexciton processes into exciton dynamics simulation for GaN based on collisional phononic and radiative model
著者 (6件):
Nomachi Kentaro
(Chiba University, Japan)
Iwahori Tomohiro
(Chiba University, Japan)
Oki Kensuke
(Chiba University, Japan)
Ma Bei
(Chiba University, Japan)
Morita Ken
(Chiba University, Japan)
Ishitani Yoshihiro
(Chiba University, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: CSW  ページ:発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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