文献
J-GLOBAL ID:201602250332837470
整理番号:16A0726669
衝突フォノニックと放射モデルに基づくGaNの励起子動力学シミュレーションへの励起子分子過程の導入【Powered by NICT】
Introducing of biexciton processes into exciton dynamics simulation for GaN based on collisional phononic and radiative model
著者 (6件):
Nomachi Kentaro
(Chiba University, Japan)
,
Iwahori Tomohiro
(Chiba University, Japan)
,
Oki Kensuke
(Chiba University, Japan)
,
Ma Bei
(Chiba University, Japan)
,
Morita Ken
(Chiba University, Japan)
,
Ishitani Yoshihiro
(Chiba University, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
CSW
ページ:
1
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)