文献
J-GLOBAL ID:201602251621033049
整理番号:16A1364256
Y/p-GaN Schottkyダイオードの電気特性と電流輸送メカニズムに対するアニーリングの影響
Effects of Annealing on Electrical Characteristics and Current Transport Mechanisms of the Y/p-GaN Schottky Diode
著者 (3件):
Reddy V. Rajagopal
(Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, India)
,
Asha B.
(Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, India)
,
Choi Chel-Jong
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju, Republic of Korea)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
45
号:
7
ページ:
3268-3277
発行年:
2016年07月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)