文献
J-GLOBAL ID:201602251642467710
整理番号:16A0977925
サブ20nmフィン幅と高アスペクト比InGaAs FinFET【Powered by NICT】
High aspect ratio InGaAs FinFETs with sub-20 nm fin width
著者 (5件):
Vardi Alon
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, 02139, U.S.A)
,
Lin Jianqiang
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, 02139, U.S.A)
,
Wenjie Lu
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, 02139, U.S.A)
,
Zhao Xin
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, 02139, U.S.A)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, 02139, U.S.A)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
VLSI Technology
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)