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文献
J-GLOBAL ID：201602252065958479
整理番号：16A0999859
水性前駆体で調製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の厚さ依存相発達と誘電性質
Thickness-dependent phase evolution and dielectric property of Hf0.5Zr0.5O2 thin films prepared with aqueous precursor
Yan Yong
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Zhou Dayu
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Zhou Dayu
(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Guo Chunxia
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Xu Jin
(Department of Electronic Engineering, Dalian Neusoft University of Information, Dalian, China)
,
Yang Xirui
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Liang Hailong
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Zhou Fangyang
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Chu Shichao
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Liu Xiaoying
(Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, China)
資料名：
Journal of Sol-Gel Science and Technology
(Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 77 号： 2 ページ： 430-436 発行年： 2016年02月
JST資料番号： W0812A ISSN： 0928-0707 CODEN： JSGTEC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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