文献
J-GLOBAL ID:201602252804181265
整理番号:16A1172418
ヘテロ構造トンネル電界効果トランジスタのI-V特性に及ぼす温度依存効果の解析【Powered by NICT】
Analysis of Temperature Dependent Effects on I-V Characteristics of Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors
著者 (4件):
Min Jie
(ECE Department, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA)
,
Wang Lingquan Dennis
(ECE Department, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA)
,
Wu Jianzhi
(ECE Department, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA)
,
Asbeck Peter M.
(ECE Department, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
4
号:
6
ページ:
416-423
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)