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文献
J-GLOBAL ID：201602253522667988
整理番号：13A1480015
Fabrication of 0.3-m T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition
Li Haiou
(School of Information and Communication,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin)
,
Huang Wei
(58(th)Research Inst.,China Electronics Technol. Group Corp., Wuxi)
,
Li Qi
(School of Information and Communication,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin)
,
Li Simin
(School of Information and Communication,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin)
,
Jiang Xi
(School of Information and Communication,Guilin Univ. of Electronic Technol., Guilin)
,
Tang Chakwah
(Dep. of Electronics and Computer Engineering,Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Hong Kong)
,
Lau Keimay
(Dep. of Electronics and Computer Engineering,Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Hong Kong)
,
Zhang Tianwen
(XiDian Univ. School of Microelectranics, Xi’an)
資料名：
Science China. Physics, Mechanics & Astronomy
(Science China. Physics, Mechanics & Astronomy)
巻： 55 号： 4 ページ： 644-648 発行年： 2012年
JST資料番号： C2587A ISSN： 1674-7348 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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