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J-GLOBAL ID：201602254115364519 整理番号：16A0387787

垂直エピタキシャル・ヘテロ構造アーキテクチャーの極めて高い効率

Ultrahigh efficiencies in vertical epitaxial heterostructure architectures

著者 (9件)：

FAFARD S.

(Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS UMI-3463, Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT) ...)

,

YORK M. C. A.

(Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS UMI-3463, Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT) ...)

,

PROULX F.

(Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS UMI-3463, Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT) ...)

,

VALDIVIA C. E.

(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Ottawa, Ontario, K1N 6N5, CAN)

,

WILKINS M. M.

(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Ottawa, Ontario, K1N 6N5, CAN)

,

ARES R.

(Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS UMI-3463, Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT) ...)

,

AIMEZ V.

(Lab. Nanotechnologies Nanosystemes (LN2)-CNRS UMI-3463, Inst. Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT) ...)

,

HINZER K.

(Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Ottawa, Ontario, K1N 6N5, CAN)

,

MASSON D. P.

(Azastra Opto Inc., 6090 Longleaf Dr. Suite 100, Ottawa, Ontario K1W 1G3, CAN)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 108 号： 7 ページ： 071101-071101-4 発行年： 2016年02月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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