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文献
J-GLOBAL ID：201602254125815597
整理番号：16A1006974
室温転位関連ルミネセンスによるSi:Si LEDs
Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Sobolev N. A.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Kalyadin A. E.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Konovalov M. V.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Aruev P. N.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Zabrodskiy V. V.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Shek E. I.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Shtel’makh K. F.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
,
Shtel’makh K. F.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia)
,
Mikhaylov A. N.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
,
Tetel’baum D. I.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 50 号： 2 ページ： 240-243 発行年： 2016年02月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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