文献
J-GLOBAL ID:201602254560126348
整理番号:16A0693078
正規のGaN HEMTのための共振ゲートドライバ【Powered by NICT】
Resonant Gate Driver for a Normally ON GaN HEMT
著者 (4件):
Okamoto Masayuki
(Ube College, Ube, National Institute of Technology, Japan)
,
Ishibashi Takaharu
(Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Japan)
,
Yamada Hiroaki
(Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Japan)
,
Tanaka Toshihiko
(Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Japan)
資料名:
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
(IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻:
4
号:
3
ページ:
926-934
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2402A
ISSN:
2168-6777
CODEN:
IJESN2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)