文献
J-GLOBAL ID:201602255151059248
整理番号:16A1056605
電解質-ゲーティング時のエピタキシャル酸化タングステン膜中の絶縁体-金属転移の発展
Evolution of Insulator-Metal Phase Transitions in Epitaxial Tungsten Oxide Films during Electrolyte-Gating
著者 (12件):
NISHIHAYA Shinichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
UCHIDA Masaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOZUKA Yusuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IWASA Yoshihiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KAWASAKI Masashi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIHAYA S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
UCHIDA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOZUKA Y.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IWASA Y.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KAWASAKI M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IWASA Y.
(RIKEN, Wako, JPN)
,
KAWASAKI M.
(RIKEN, Wako, JPN)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
8
号:
34
ページ:
22330-22336
発行年:
2016年08月31日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)