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文献
J-GLOBAL ID：201602255420508832
整理番号：16A1151373
14nm UTBB FDSOIによるSiGeチャネルの性能とレイアウト効果:SiGe第一対SiGe最終統合【Powered by NICT】
Performance and layout effects of SiGe channel in 14nm UTBB FDSOI: SiGe-first vs. SiGe-last integration
Berthelon R.
(STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
,
Andrieu F.
(CEA-LETI, Minatec campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Perreau P.
(CEA-LETI, Minatec campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
,
Baylac E.
(STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
,
Pofelski A.
(STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
,
Josse E.
(STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
,
Dutartre D.
(STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
,
Claverie A.
(CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig 31055 Toulouse Cedex 4, France)
,
Haond M.
(STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ESSDERC ページ： 127-130 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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