文献
J-GLOBAL ID:201602256124497664
整理番号:16A0806992
Siに対する光源のためのMBEによるGaSb上の高引張歪Ge量子ドット【Powered by NICT】
Highly tensile-strained Ge quantum dots on GaSb by MBE for light sources on Si
著者 (5件):
Zhang Zhenpu
(School of Physical Science and Technology, Shanghaitech University, Shanghai 200050, China)
,
Song Yuxin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Chen Qimiao
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Gong Qian
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Wang Shumin
(School of Physical Science and Technology, Shanghaitech University, Shanghai 200050, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SUM
ページ:
82-83
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)