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文献
J-GLOBAL ID：201602256920099613
整理番号：16A1194557
ケイ素の熱酸化成長過程研究のための電荷輸送原子間ポテンシャル
Charge-transfer interatomic potential for investigation of the thermal-oxidation growth process of silicon
Takamoto So
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Kumagai Tomohisa
(Materials Science Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry, 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
,
Yamasaki Takahiro
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Ohno Takahisa
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Kaneta Chioko
(Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan)
,
Hatano Asuka
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Izumi Satoshi
(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 120 号： 16 ページ： 165109-165109-10 発行年： 2016年10月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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