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文献
J-GLOBAL ID：201602257244005485
整理番号：16A0660618
熱アニール処理によるn-nおよびp-n Si/SiC接合の電気特性の改善
Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment
Liang J.
(Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
,
Nishida S.
(Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
,
Arai M.
(New Japan Radio Co., Ltd., Fukuoka 2-1-1, Fujimino, Saitama 356-8510, Japan)
,
Shigekawa N.
(Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 120 号： 3 ページ： 034504-034504-7 発行年： 2016年07月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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