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文献
J-GLOBAL ID:201602257244005485   整理番号:16A0660618

熱アニール処理によるn-nおよびp-n Si/SiC接合の電気特性の改善

Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment
著者 (4件):
Liang J.
(Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
Nishida S.
(Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
Arai M.
(New Japan Radio Co., Ltd., Fukuoka 2-1-1, Fujimino, Saitama 356-8510, Japan)
Shigekawa N.
(Electronic Information System, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 120  号:ページ: 034504-034504-7  発行年: 2016年07月21日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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