文献
J-GLOBAL ID:201602258229319889
整理番号:16A1402437
国際宇宙ステーション搭載の液相線移動法によるSi0.5Ge0.5結晶成長時の温度勾配効果
Effects of temperature gradient in the growth of Si0.5Ge0.5 crystals by the traveling liquidus-zone method on board the International Space Station
著者 (6件):
Kinoshita K.
(Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan)
,
Arai Y.
(Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan)
,
Inatomi Y.
(Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan)
,
Tsukada T.
(Tohoku University, 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Miyata H.
(Advanced Engineering Services Co. Ltd, 1-6-1, Takezono, Tsukuba, Japan)
,
Tanaka R.
(Advanced Engineering Services Co. Ltd, 1-6-1, Takezono, Tsukuba, Japan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
455
ページ:
49-54
発行年:
2016年12月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)