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文献
J-GLOBAL ID：201602259719608576
整理番号：16A0952774
紫外照射下でのAmorphous-Indium-Gallium-Zinc-オキシド薄膜トランジスタの電気的不安定性【Powered by NICT】
Electrical Instability of Amorphous-Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors under Ultraviolet Illumination
Tang Lanfeng
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Lu Hai
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Ren Fangfang
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Zhou Dong
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Zhang Rong
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Zheng Youdou
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Huang Xiaoming
(Peter Grunberg Research Center, Nanjing University of Posts and Telecommunications)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 33 号： 3 ページ： 038502-1-038502-4 発行年： 2016年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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