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文献
J-GLOBAL ID：201602260186027942
整理番号：16A1364258
高出力アプリケーション用のTi/Al/W Ohmic構造およびWNx Schottky金属構造を持つAuフリーGaN高電子移動度トランジスタ
Au-Free GaN High-Electron-Mobility Transistor with Ti/Al/W Ohmic and WN X Schottky Metal Structures for High-Power Applications
Hsieh Ting-En
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Lin Yueh-Chin
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Chu Chung-Ming
(Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Chuang Yu-Lin
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Huang Yu-Xiang
(Institute of Photonic System, National Chiao-Tung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Shi Wang-Cheng
(Institute of Photonic System, National Chiao-Tung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Dee Chang-Fu
(Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Bangi, Selangor, Malaysia)
,
Majlis Burhanuddin Yeop
(Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Bangi, Selangor, Malaysia)
,
Lee Wei-I
(Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Chang Edward Yi
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
,
Chang Edward Yi
(Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 45 号： 7 ページ： 3285-3289 発行年： 2016年07月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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